NGB8206NSL3G
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | NGB8206NSL3G |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | IGBT IGNITION 350V 20A D2PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 390 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 4.5V, 20A |
Supplier Device-Gehäuse | D²PAK |
Serie | - |
Leistung - max | 150 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tube |
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabetyp | Logic |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 20 A |
Grundproduktnummer | NGB820 |
IGBT
NGB8207ABNG ON
IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IGBT 430V 18A 115W D2PAK
IGBT, 20A, 390V, N-CHANNEL
IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
IGBT 390V 20A D2PAK
IGBT 365V 20A D2PAK
IGBT 390V 20A D2PAK
IGBT 390V 20A 150W D2PAK
IGBT 390V 20A 150W D2PAK
IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
IGBT 390V 20A 150W D2PAK
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IGBT, 20A, 390V, N-CHANNEL
IGBT
IGNITION IGBT 20 A, 350 V, N-CHA
IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
2024/08/24
2024/06/14
2024/06/5
2024/05/28
NGB8206NSL3Gonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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